세션 트랙

11월 23일 (월요일)

G1C

전자세라믹스

좌장 : 이웅규(명지대)

13:00-16:20

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화상회의실 비밀번호 : ceramic (모든 화상회의실 접속 시 입력 필수)

G1C-1

13:00-13:15

Post annealing에 따른 NaNbO₃ 박막 멤리스터의 시냅스 가소성 및 선형적 저항 변화 구현

우종운, 황현규(고려대학교 KUKIST융합대학원 NBIT융합전공), 남산(고려대학교 신소재공학과)

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G1C-2

13:15-13:30

뉴로모픽 디바이스 및 센서 플랫폼을 위한 나노 섬유 채널 유기 전기화학 트랜지스터 연구

Sol-Kyu Lee, Young Woon Jo, Jong-Sung Lee, Young-Ran Jung, Seung-Hyun Oh, Jeong-Yun Sun, SangBum Kim, Young-Chang Joo(Department of Materials Science & Engineering， Seoul National University)

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G1C-3

13:30-13:45

리튬 타이타네이트의 시냅틱 거동 개선에 관한 연구

김수민, 이홍섭(강원대학교 재료공학과)

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G1C-4

13:45-14:00

Improvement of conductance modulation linearity in Ta₂O₅ memristor through the control of the number of oxygen vacancies

Hyun-Gyu Hwang, Jong-Un Woo(KU–KIST Graduate School of Converging Science and Technology， Korea University), In-Su Kim, Sahn Nahm(Department of Materials Science and Engineering， Korea University)

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G1C-5

14:00-14:15

금속 나노닷 삽입을 이용한 자가정류형 저항변화메모리의 스위칭 균일성 향상

Jihun Kim, Taegyun Park, Young Jae Kwon, Gil Seop Kim, Seung Soo Kim, Taeyoung Jeong(Department of Materials Science and Engineering， and Inter-university Semiconductor Research Center， Seoul National University， Seoul 08826， Korea), Jung Ho Yoon(Korea Institute of Science and Technology， Seoul 02792， Korea), Cheol Seong Hwang(Department of Materials Science and Engineering， and Inter-university Semiconductor Research Center， Seoul National University， Seoul 08826， Korea)

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G1C-6

14:15-14:30

산화물 헤테로 계면에서 산소 이온 이동을 기반한 루틸 구조의 TiO₂ 에피 박막의 저온 합성에 대한 연구

박윤규, 손준우(포항공과대학교 신소재공학과)

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G1C-7

14:40-15:05

반도체 식각 장비의 내 플라즈마 세라믹 코팅의 기술동향

고현철(코미코)

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G1C-8

15:05-15:20

Al2O3/SrTiO3 계면 2D 전자 가스 채널을 이용한 트랜지스터의 문턱 전압에 대한 원인

HyunJae Lee, Taehwan Moon, Cheol Hyun An, Cheol Seong Hwang(Materials Science and Engineering， Seoul National University)

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G1C-9

15:20-15:35

Al₂O₃ 계면층을 적용한 p 형 SnO 박막 트랜지스터의 비정상적인 전기적 특성

Younjin Jang, Jun Shik Kim, Sukin Kang, Jihun Kim, Yonghee Lee(Dept. of Materials Science and Eng. and ISRC， Seoul National University), Kwangmin Kim(Graduate School of Engineering Practice， Seoul National University), Whayoung Kim(Dept. of Materials Science and Eng. and ISRC， Seoul National University), Heerang Choi, Nayeon Kim, Taeyong Eom, Taek-Mo Chung(Thin Film Materials Research Center， Korea Research Institute of Chemical Technology), Woojin Jeon(Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics， Kyung Hee University), Sang Yoon Lee(Department of Materials Science and Engineering， Seoul National University), Cheol Seong Hwang(Dept. of Materials Science and Eng. and ISRC， Seoul National University)

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G1C-10

15:35-15:50

에어로졸 공정 기반 준안정상 초고보자력 산화철 소재 제조

백연경, 이정구, 표민지(재료연구소)

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G1C-11

15:50-16:05

Excellent microwave absorption properties of Zn-substituted barium W-type hexaferrite composites for 5G communication

SungJoon Choi(Department of Materials Science and Engineering， and Research Institute of Advanced Materials， Seoul), Seong Jin Choi(Chang Sung Co Ltd， R&D Ctr， 11-9 Namdong Ind Area， Inchon 405100， Republic of Korea), Seung-Youn Park(Spin Engineering Physics Team， Division of Scientific Instrumentation， Korea Basic Science Institute), Sang-Im Yoo(Department of Materials Science and Engineering， and Research Institute of Advanced Materials， Seoul)

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G1C-12

16:05-16:20

The effect of refined Gd2O3 particles trapped in the GdBa2Cu3O7-δ coated conductor fabricated by the RCE-DR process

박인성(서울대학교 재료공학부), 이재훈, 문승현((주)서남), 유상임(서울대학교 재료공학부)

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